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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场和优异热导率，在高频开关条件下仍能保持较低的功率损耗，适用于高效率电源转换、数据中心供电系统、光伏逆变器及对体积与效率有严苛要求的电力电子设备。