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该N沟道MOSFET额定漏极电流（ID）为80A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧，栅源电压（VGS）最高支持20V。其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升，适用于高效率电源转换、电池管理系统、电机控制及各类高电流开关电路。器件结构优化了开关特性，适合对体积和热性能有较高要求的电子系统。