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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升整体能效表现，在适配器、服务器电源及可再生能源转换等场景中展现出良好的适用性。
