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该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6mΩ，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件在中等电流水平下保持较低的导通损耗，适合对能效和热管理有一定要求的应用场景。常用于电源转换模块、便携式设备供电系统、电机驱动电路以及高频开关应用中，能够在保证电气性能的同时支持紧凑型电路设计。
