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该N沟道场效应管（MOSFET）具备90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，在高电流应用中维持较低温升。适用于高效率电源转换、大电流开关电路及需要快速响应与高功率密度的电子系统，能够支持频繁开关操作并保持稳定性能。
