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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源耐压达650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时支持负压关断以增强抗干扰能力。