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该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4.7毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。低导通电阻有效降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、高频开关的电源转换、电机控制及各类高效功率调节系统。其电气参数组合使其在紧凑型设计中仍能维持良好的热稳定性和开关性能。
