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该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）能力，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，在栅源电压（VGS）最高达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少功率损耗和温升，适合用于高效率电源模块、电池供电设备、电机驱动及高频开关电路等场合，能够有效支持大电流负载下的可靠运行。