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该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。器件适用于需要较高耐压能力的开关电路，在电源转换、LED驱动、家用电器控制及各类电子设备的功率开关环节中可实现可靠运行。其参数组合在保证电压裕量的同时，兼顾了导通损耗与热管理的基本需求。