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该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为40V，最大连续漏极电流（ID）达219A，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.2毫欧（在VGS=20V条件下）。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适用于高效率电源管理、大电流开关以及对热性能敏感的电子系统。其电气参数表明该器件适合在高频、高负载条件下稳定运行。