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该N沟道MOSFET具备75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.4毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗与温升，提升整体能效。器件适用于高效率电源系统、电机驱动、不间断电源及各类需要高开关频率与低损耗特性的电子设备中，能够在严苛的电气环境中维持稳定可靠的开关性能。
