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该N沟道MOSFET的连续漏极电流为15A，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。器件在典型驱动条件下可实现低损耗导通，适用于电源管理、负载开关、同步整流及中等功率的直流-直流转换电路。其较低的导通电阻有助于减少发热，提升系统整体效率，并支持较高频率的开关操作，适合对能效和热性能有一定要求的电子应用。