-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及4毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。器件适用于高电流、高效率要求的电源管理场景，如开关电源、电池充放电控制及各类便携式或固定式电子设备中的功率开关应用。
