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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具备低开关损耗与高效率特性，适用于高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源及高密度电力转换系统等场合，在提升系统整体能效和减小体积方面具有显著优势。