-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为2.9毫欧。其低导通电阻有效降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低温升。器件适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电池管理系统及大电流开关电路等场合。凭借优异的电气特性和稳定的开关表现，可在高频或持续高负载运行环境中提供可靠支持。