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该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通损耗，在大电流工作条件下有助于控制温升。适用于高效率开关电源、电池供电设备、电机驱动电路及高功率密度的电源模块，能够满足对能效和热管理有较高要求的应用场景。
