-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.8毫欧。低导通电阻显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效，适用于高电流、高效率要求的电源转换、电池管理系统及大功率电子负载等场景。其电气特性支持在高频开关条件下保持稳定工作，适合对热性能和空间布局有严苛要求的电路设计。
