-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较高效率。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景，可有效支持各类高效能电子系统的稳定运行。