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该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于减少功率损耗，适用于高效率电源转换、电池供电设备及大电流开关电路等应用。器件在高频开关条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
