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该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和效率有较高要求的电源管理场景。其低RDS(ON)有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于中低压开关电路、电池供电设备及各类高频率功率转换应用中，具备良好的热稳定性和开关特性。
