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该N沟道MOSFET具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。低导通电阻有效降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较高的能效水平。适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源系统，如服务器电源、通信设备供电模块及高性能计算平台中的同步整流与负载开关等场合。
