-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。在高电流负载条件下，其低导通电阻有助于有效降低导通损耗，提升整体能效。器件适用于中低压电源系统中的开关与功率控制环节，尤其适合对热管理和效率有较高要求的应用场景，能够稳定支持频繁开关操作并维持较低温升。
