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该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）、5A的连续漏极电流（ID）以及1300毫欧的导通电阻（RDS(on)）。其电气参数适合在中等功率、较高电压的开关应用中使用。由于采用N沟道结构，器件在正栅压驱动下可实现有效导通，常用于电源适配器、LED驱动、小型电机控制及各类消费类电子设备中的功率开关与调节电路。
