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该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高电流、高效率要求的电源管理、电池供电系统及中低电压开关应用。器件在大电流工作条件下仍能维持较低温升，适合对热性能和功率密度有较高需求的电路设计。
