-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.9毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效，适用于高电流、高效率要求的电源转换、电机控制及高频开关应用。其电气参数适合在紧凑布局中实现优异的热性能与稳定性，满足对大电流承载能力和快速开关响应的需求。
