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该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流，漏源击穿电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，在高频率开关应用中表现出良好的能效特性。适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源转换、同步整流及负载开关等电路，能够在紧凑布局下维持稳定工作性能。