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该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧，可承载高达60A的连续漏极电流（ID）。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高效率、大电流的电源转换与配电系统。器件在高频开关条件下仍能维持良好的动态特性，适合用于对热管理和空间布局要求严苛的电子设备中，如服务器电源、便携式储能装置及高性能计算平台的供电模块。
