-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET额定漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7.5毫欧，在低电压应用中可有效降低导通损耗。器件适用于对效率和热性能有要求的电源管理场合，如开关电源、负载开关及便携式设备的功率控制模块。其参数组合兼顾电流承载能力与导通特性，适合在紧凑型电路设计中实现高效能量传输。