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该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧，适用于中等功率的开关应用。其较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，在电源转换、电机控制及高频开关电路中可实现稳定运行。器件支持高效热管理，适合对体积和效率有要求的电子系统。
