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该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。器件适用于对导通损耗和热性能有较高要求的电源开关应用，其低阻特性有助于提升能效并简化散热设计。凭借较高的电压与电流能力，可广泛用于高效电源转换、电机控制及各类高功率电子系统中的开关环节。
