-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.4毫欧。其参数组合适用于中高功率的开关应用，在保证电压耐受能力的同时，提供较低的导通损耗。器件适合用于电源转换系统、电机驱动电路以及需要频繁开关操作的电子设备中，能够在紧凑的电路布局下维持良好的热稳定性和运行效率。
