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该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。其低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频率运行的电源转换、电机驱动及高效能电力电子设备中。器件在大电流负载下仍能保持良好的热稳定性和开关性能，满足对功率密度与可靠性要求较高的应用场景。
