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该N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。较低的导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗，提升整体能效。其电气特性适用于需要高效开关性能和良好热稳定性的场合，如电源转换模块、电机控制电路及各类高频率开关应用。器件在紧凑布局中仍可维持可靠运行，适合对空间和效率有要求的电子系统。
