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该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。低RDS(ON)有助于在大电流工作时减少功率损耗，提升系统效率。器件适用于中低压电源架构中的高效开关应用，可在频繁开关操作中保持较低的温升，适合对电气性能和热稳定性要求较高的功率控制场景。
