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该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，栅源电压（VGS）额定值为20V。其低导通电阻有助于在大电流应用中有效抑制功率损耗和温升，适用于高效率直流开关电路、同步整流结构以及对热性能要求较高的电源管理模块，能够支持紧凑型高功率密度设计。
