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该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.8毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通损耗，在大电流工作条件下仍能保持较高的能效与较低的温升。适用于对功率处理能力和热性能要求较高的应用场景，如高效电源系统、电机驱动电路以及高密度电子设备中的功率开关和同步整流功能。
