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该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低导通损耗，提升整体能效。适用于电源管理、电机控制、电池供电设备及各类开关模式电源等应用场合。N沟道结构便于实现高效的开关操作，在紧凑型电路设计中可有效支持热性能与功率密度的优化。
