-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.3毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适用于高效率、大电流的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场合。器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能和稳定性，适合对能效和空间布局有较高要求的电子系统。