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该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7mΩ的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于显著降低通态损耗，提升系统效率，适用于高电流、中低电压的开关电路。其电气特性适合在高频或大电流条件下稳定工作，可应用于电源管理、电机驱动及高效能电子设备中的功率控制模块。
