-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。器件在高电流条件下表现出较低的导通损耗，有助于提升系统效率并减少发热。其电气特性适用于对功率密度和热管理有较高要求的中低压开关应用，常见于电源转换、电池管理系统及高效率直流开关电路等场景。
