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该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，适用于高效率电源转换、便携式设备供电系统及各类中低电压开关电路。其电气特性支持稳定可靠的开关操作，在注重热管理和空间紧凑的设计中具有良好的适应性。
