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该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。器件在中等电流水平下提供较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有一定要求的电源开关电路。其电气特性适合用于直流-直流转换器、便携式设备供电系统以及各类需要稳定功率控制的电子装置中，具备良好的开关响应与可靠性。
