-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET的连续漏极电流为45A，最大漏源电压为30V，导通电阻为6毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。器件在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换场合。其电气参数组合使其适合用于开关频率较高的电路中，能够有效支持负载切换与功率调节功能，满足多种电子系统对可靠功率控制的需求。