-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，适用于对能效和热管理有要求的电源转换应用，如开关电源、电池供电设备中的功率开关及负载控制电路。在高频工作条件下，器件仍能维持良好的效率与稳定性。
