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该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，在中等功率应用中实现较高的能效。器件适用于需要频繁开关操作的电源管理电路，可在紧凑型电子设备中提供稳定的功率传输与控制性能。
