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该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7.5mΩ。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统效率并改善热表现。适用于对效率和紧凑布局有要求的电源管理电路，如直流-直流转换器、负载开关及同步整流等应用，在高频或大电流工作条件下可维持稳定可靠的运行特性。
