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该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7.5毫欧。其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升，适用于高效率电源管理、同步整流、电池保护及各类中高功率开关电路。器件在高频操作下仍能保持良好的动态性能，适合对空间和热性能有较高要求的应用场景。