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该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为80A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）典型值为5毫欧。在高电流工作条件下，低导通电阻有助于显著降低功率损耗，提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、直流-直流转换器及各类高效能电子设备中的功率管理模块，能够在紧凑电路布局中实现稳定可靠的开关性能。