-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。其低导通电阻有助于减少发热，提升系统整体能效，同时支持高电流密度工作，适合用于各类中低压开关电路及功率转换模块中。
