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该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻显著降低导通损耗，适用于高效率、大电流的电源转换、电池充放电控制、电动工具驱动及同步整流等应用。器件在高负载条件下表现出良好的热稳定性和开关特性，适合对能效和空间布局有严格要求的电子系统。
